109與我廠合作研制出國內第一臺接觸式光刻機

中國光刻機技術的起源可以追溯到上世紀六十年代，那是一個科技探索與創(chuàng)新的時代。1966年，中國科學院下屬的109廠與上海光學儀器廠攜手合作，共同邁出了歷史性的一步，成功研制出我國首臺65型接觸式光刻機。這不僅是技術上的突破，更標志著中國在半導體制造領域的初步探索，當時由上海無線電專用設備廠負責將其推向量產(chǎn)階段。

接觸式光刻機作為光刻技術的開山之作，開啟了光刻機技術的演進之路。從最初的接觸式，光刻技術逐漸發(fā)展到接近式，這種技術通過掩膜與晶圓不直接接觸，避免了污染和磨損的問題。隨后，更為先進的分步重復式光刻機問世，它能夠進行多次曝光，提高了生產(chǎn)效率和精度。進入八十年代，倍投影光刻技術和步進式縮小投影光刻技術相繼出現(xiàn)，極大地提升了光刻的分辨率和產(chǎn)量。

步進掃描式投影光刻機的出現(xiàn)，進一步推動了光刻技術的精密化和自動化，使得大規(guī)模集成電路的制造成為可能。而到了二十一世紀，極紫外光刻機（EUV）成為了全球光刻技術的最前沿。EUV光刻機采用13.5納米波長的極紫外光線，能夠實現(xiàn)納米級別的精細圖案轉移，是目前制造最先進半導體芯片不可或缺的關鍵設備。

中國光刻機技術的發(fā)展歷程見證了從無到有，從簡陋到先進的跨越。盡管在某些高端光刻技術上，如EUV光刻機，中國與世界領先水平仍有差距，但國產(chǎn)光刻機的技術進步和自主研發(fā)能力的提升，正逐步縮短著這一距離。隨著持續(xù)的研發(fā)投入和技術積累，中國在光刻機領域的未來充滿希望，有望在全球半導體產(chǎn)業(yè)中扮演更加重要的角色。